თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G1646I-BYK0

Samsung Semiconductor - K4B1G1646I-BYK0

KEY Part #: K7359646

[21190ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B1G1646I-BYK0
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: MODULE, SLC Nand, GDDR5, HBM Aquabolt, DDR3, LPDDR4X, LPDDR5 and LPDDR3 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G1646I-BYK0 electronic components. K4B1G1646I-BYK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G1646I-BYK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G1646I-BYK0 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B1G1646I-BYK0
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 1 Gb
    Org. : 64M x 16
    სიჩქარე : 1600 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები