Samsung Semiconductor - K4B4G0846E-BYK0

KEY Part #: K7359681

[14296ცალი საფონდო]

Ნაწილი ნომერი:: K4B4G0846E-BYK0

მწარმოებელი:: Samsung Semiconductor

Დეტალური აღწერა:: 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: Საწყობში

შენახვის ვადა:: Ერთი წელი

ჩიპი From:: ჰონგ კონგი

RoHS:

Გადახდის საშუალება:

გადაზიდვის გზა:

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: HBM Flarebolt, LPDDR3, LPDDR5, LPDDR4X, MODULE, GDDR6, GDDR5 and DDR3 ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G0846E-BYK0 electronic components. K4B4G0846E-BYK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G0846E-BYK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4B4G0846E-BYK0 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : K4B4G0846E-BYK0

მწარმოებელი : Samsung Semiconductor

აღწერა : 4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production

სერიები : DDR3

სიმჭიდროვე : 4 Gb

Org. : 512M x 8

სიჩქარე : 1600 Mbps

Ვოლტაჟი : 1.35 V

Ტემპი. : 0 ~ 85 °C

პაკეტი : 78FBGA

პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

Უახლესი ცნობები

Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

Unlocking the Power of Cloud Computing

Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM

High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing

Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD

5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living

Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing

Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards

Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

K3UH5H50AM-AGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-EGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH5H50AM-JGCL

Samsung Semiconductor

32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-AGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.
K3UH6H60BM-EGCL

Samsung Semiconductor

48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.
K3UH7H70AM-AGCL

Samsung Semiconductor

64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

ცხელი ნაწილები

English საქართველო