თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BCMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BCMA

KEY Part #: K7359700

[15107ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B4G1646E-BCMA
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: MODULE, HBM Flarebolt, LPDDR3, GDDR5, DDR3, DDR4, LPDDR4 and SLC Nand ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BCMA electronic components. K4B4G1646E-BCMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-BCMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BCMA პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B4G1646E-BCMA
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    სიჩქარე : 1866 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.5 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ცხელი ნაწილები