თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G0846F-BYMA

Samsung Semiconductor - K4B2G0846F-BYMA

KEY Part #: K7359655

[22178ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B2G0846F-BYMA
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: MODULE, LPDDR4X, DDR3, LPDDR3, HBM Flarebolt, LPDDR4, GDDR5 and DDR4 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G0846F-BYMA electronic components. K4B2G0846F-BYMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G0846F-BYMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G0846F-BYMA პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B2G0846F-BYMA
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 2 Gb
    Org. : 256M x 8
    სიჩქარე : 1866 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 78FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Z-SSD SZ985
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები