თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G1646F-BHMA

Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BHMA

KEY Part #: K7359661

[17431ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B2G1646F-BHMA
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DDR4, GDDR6, SLC Nand, DDR3, HBM Flarebolt, LPDDR4X, LPDDR4 and LPDDR5 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BHMA electronic components. K4B2G1646F-BHMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BHMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G1646F-BHMA პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B2G1646F-BHMA
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 2 Gb
    Org. : 128M x 16
    სიჩქარე : 1866 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : -40 ~ 105 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Speed for the next generation of mobile devices
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები