თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646D-BYH9

Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BYH9

KEY Part #: K7359695

[20056ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B4G1646D-BYH9
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR5, GDDR5, DDR3, SLC Nand, HBM Aquabolt, MODULE, DDR4 and LPDDR4 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BYH9 electronic components. K4B4G1646D-BYH9 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BYH9, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BYH9 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B4G1646D-BYH9
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 4 Gb 256M x 16 1333 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    სიჩქარე : 1333 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    Speed for the next generation of mobile devices
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ცხელი ნაწილები