თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B4G1646E-BMMA

Samsung Semiconductor - K4B4G1646E-BMMA

KEY Part #: K7359702

[23462ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B4G1646E-BMMA
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR3, LPDDR5, DDR3, GDDR6, GDDR5, MODULE, DDR4 and HBM Aquabolt ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646E-BMMA electronic components. K4B4G1646E-BMMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646E-BMMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646E-BMMA პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B4G1646E-BMMA
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 4 Gb 256M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    სიჩქარე : 1600 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : -40 ~ 95 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    [Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    Inside the building blocks of the 5G future
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    Samsung Z-SSD SZ985
    Automotive Driven by Small Packages Under the Hood
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung’s Newest ISOCELL Image Sensor Enables Mobile Devices to ‘Slow Down’ Time
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ცხელი ნაწილები