| გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16579ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17745ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24938ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
18031ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
14414ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
17047ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
14807ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 128M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
21953ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
25065ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19161ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19667ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
26803ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production. |
21607ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
26686ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
15187ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
21190ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
20093ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
1 Gb 64M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
22839ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
26738ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
24877ცალი საფონდო |
კლასიფიკაციის გვერდები
success
选择你的位置