| გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16996ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
22539ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production. |
21400ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25337ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
22178ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 256M x 8 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
20824ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
23528ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
14868ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
15955ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
21119ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V -40 ~ 105 °C 96FBGA Mass Production. |
17431ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
22867ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production. |
21752ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
26091ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
24906ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
2 Gb 128M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production. |
19090ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1333 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
19788ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1600 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
14489ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 1866 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
25276ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
4 Gb 512M x 8 2133 Mbps 1.5 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production. |
16363ცალი საფონდო |
კლასიფიკაციის გვერდები
success
选择你的位置