თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B2G1646F-BMK0

Samsung Semiconductor - K4B2G1646F-BMK0

KEY Part #: K7359662

[22867ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B2G1646F-BMK0
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: HBM Flarebolt, DDR3, GDDR6, HBM Aquabolt, GDDR5, MODULE, DDR4 and LPDDR4 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B2G1646F-BMK0 electronic components. K4B2G1646F-BMK0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B2G1646F-BMK0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B2G1646F-BMK0 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B2G1646F-BMK0
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 2 Gb 128M x 16 1600 Mbps 1.35 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 2 Gb
    Org. : 128M x 16
    სიჩქარე : 1600 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : -40 ~ 95 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Exploring the Key Samsung Technologies That Enabled 10nm-Class DRAM
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Unlocking the Power of Cloud Computing
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები