Samsung Semiconductor - K4B4G1646D-BYNB

KEY Part #: K7359698

[21068ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    K4B4G1646D-BYNB
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: GDDR6, MODULE, SLC Nand, LPDDR4, LPDDR3, HBM Flarebolt, GDDR5 and DDR4 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B4G1646D-BYNB electronic components. K4B4G1646D-BYNB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B4G1646D-BYNB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B4G1646D-BYNB პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B4G1646D-BYNB
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 4 Gb 256M x 16 2133 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 4 Gb
    Org. : 256M x 16
    სიჩქარე : 2133 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.