| გამოსახულება | საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი | აღწერა / PDF | რაოდენობა / RFQ |
|---|---|---|---|
 |
Samsung Semiconductor |
32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production. |
17075ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production. |
23158ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production. |
24259ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production. |
24657ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production. |
23326ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production. |
15491ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production. |
19657ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production. |
24643ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
80 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production. |
23940ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
96 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production. |
18598ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
96 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production. |
20238ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production. |
18219ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production. |
16330ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production. |
26054ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 200FBGA Mass Production. |
14732ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production. |
20815ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production. |
19582ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 125 °C 200FBGA Mass Production. |
21415ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production. |
21138ცალი საფონდო |
|
Samsung Semiconductor |
8 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production. |
14282ცალი საფონდო |
კლასიფიკაციის გვერდები
success
选择你的位置