თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. LPDDR4X
  5. K3UH7H70AM-JGCL

Samsung Semiconductor - K3UH7H70AM-JGCL

KEY Part #: K7359734

[24643ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K3UH7H70AM-JGCL
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: GDDR6, LPDDR3, HBM Aquabolt, GDDR5, LPDDR5, HBM Flarebolt, MODULE and DDR3 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K3UH7H70AM-JGCL electronic components. K3UH7H70AM-JGCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K3UH7H70AM-JGCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K3UH7H70AM-JGCL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K3UH7H70AM-JGCL
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 64 Gb
    Org. : x64
    სიჩქარე : 4266 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Ტემპი. : -25 ~ 85 °C
    პაკეტი : 432FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Launches Industry’s First 12Gb LPDDR4 DRAM
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Driving the Artificial Intelligence Evolution with In-Memory Computing
    Samsung Now Producing Industry’s Highest Density (3GB) LPDDR3 Mobile Memory for Smartphones
    Speed for the next generation of mobile devices
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    ცხელი ნაწილები