Samsung Semiconductor - K4UHE3D4AA-GHCL

KEY Part #: K7359754

[23298ცალი საფონდო]

Ნაწილი ნომერი:: K4UHE3D4AA-GHCL

მწარმოებელი:: Samsung Semiconductor

Დეტალური აღწერა:: 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.

Manufacturer's standard lead time:: Საწყობში

შენახვის ვადა:: Ერთი წელი

ჩიპი From:: ჰონგ კონგი

RoHS:

Გადახდის საშუალება:

გადაზიდვის გზა:

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR3, LPDDR4X, DDR4, GDDR6, HBM Aquabolt, SLC Nand, HBM Flarebolt and GDDR5 ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in Samsung Semiconductor K4UHE3D4AA-GHCL electronic components. K4UHE3D4AA-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4UHE3D4AA-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

K4UHE3D4AA-GHCL პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : K4UHE3D4AA-GHCL

მწარმოებელი : Samsung Semiconductor

აღწერა : 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production

სერიები : DDR3

სიმჭიდროვე : 24 Gb

Org. : x32

სიჩქარე : 4266 Mbps

Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 0.6 V

Ტემპი. : -40 ~ 105 °C

პაკეტი : 200FBGA

პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

Უახლესი ცნობები

[Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions

Samsung Enhances Functional Safety to its Automotive Semiconductors with ISO 26262 Certification

Samsung Z-SSD SZ985

NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters

How Will 5G Impact on Memory?

[Video] 5G memory solutions : 5G. All in the Memory.

Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing

Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package

Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018

Samsung Electronics Starts Mass Producing Industry’s First 8-Gigabit Graphics DRAM (GDDR5)

Samsung Begins Mass Production of Industry’s First 12Gb LPDDR5 Mobile DRAM for Premium Smartphones

5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

M392A2K43BB0-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
M392A2K43BB0-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.
M392A4K40BM0-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
M392A4K40BM0-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.
M378A1K43BB1-CPB

Samsung Semiconductor

DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.
M378A1K43BB2-CRC

Samsung Semiconductor

DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

ცხელი ნაწილები

English საქართველო