Samsung Semiconductor - K4UHE3D4AA-GHCL

KEY Part #: K7359754

[23298ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    K4UHE3D4AA-GHCL
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: HBM Aquabolt, LPDDR4, MODULE, GDDR6, HBM Flarebolt, LPDDR4X, LPDDR5 and DDR3 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4UHE3D4AA-GHCL electronic components. K4UHE3D4AA-GHCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4UHE3D4AA-GHCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4UHE3D4AA-GHCL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4UHE3D4AA-GHCL
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 24 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 24 Gb
    Org. : x32
    სიჩქარე : 4266 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Ტემპი. : -40 ~ 105 °C
    პაკეტი : 200FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M392A2K43BB0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A2K43BB0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 16 GB 2R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2133 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M392A4K40BM0-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 VLP RDIMM 32 GB 2R x 4 2400 Mbps 1.2 V 288 (DDP4G x 4) x 18 EOL.

    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.