Samsung Semiconductor - K4UBE3D4AM-GFCL

KEY Part #: K7359749

[14118ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    K4UBE3D4AM-GFCL
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR3, LPDDR4, GDDR5, MODULE, LPDDR4X, DDR3, HBM Flarebolt and DDR4 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    ჩვენ სპეციალიზირებულნი ვართ Samsung Semiconductor K4UBE3D4AM-GFCL ელექტრონული კომპონენტებით. K4UBE3D4AM-GFCL- ის გაგზავნა შეგიძლიათ შეკვეთიდან 24 საათში. თუ K4UBE3D4AM-GFCL– ს მიმართ რაიმე მოთხოვნები გაქვთ, გთხოვთ, გამოგვიგზავნოთ მოთხოვნა ციტატისთვის ან გამოგვიგზავნოთ ელექტრონული ფოსტა: info@key-component.com

    K4UBE3D4AM-GFCL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4UBE3D4AM-GFCL
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 32 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 32 Gb
    Org. : x32
    სიჩქარე : 4266 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Ტემპი. : -40 ~ 95 °C
    პაკეტი : 200FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.