Samsung Semiconductor - K4U6E3S4AM-GFCL

KEY Part #: K7359742

[20815ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    K4U6E3S4AM-GFCL
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR3, LPDDR4, LPDDR5, MODULE, SLC Nand, DDR3, LPDDR4X and HBM Aquabolt ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4U6E3S4AM-GFCL electronic components. K4U6E3S4AM-GFCL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4U6E3S4AM-GFCL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4U6E3S4AM-GFCL პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4U6E3S4AM-GFCL
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 16 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 95 °C 200FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 16 Gb
    Org. : x32
    სიჩქარე : 4266 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
    Ტემპი. : -40 ~ 95 °C
    პაკეტი : 200FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • M378A1K43BB1-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43BB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 EOL announced.

    • M378A1K43CB2-CPB

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2133 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CRC

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2400 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.

    • M378A1K43CB2-CTD

      Samsung Semiconductor

      DDR4 UDIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 288 (1G x 8) x 8 Mass Production.