თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR3
  5. K4B1G0846I-BYMA

Samsung Semiconductor - K4B1G0846I-BYMA

KEY Part #: K7359637

[14807ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4B1G0846I-BYMA
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: GDDR5, GDDR6, LPDDR3, HBM Aquabolt, LPDDR5, LPDDR4, DDR3 and HBM Flarebolt ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4B1G0846I-BYMA electronic components. K4B1G0846I-BYMA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4B1G0846I-BYMA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4B1G0846I-BYMA პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4B1G0846I-BYMA
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    სერიები : DDR3
    სიმჭიდროვე : 1 Gb
    Org. : 128M x 8
    სიჩქარე : 1866 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.35 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 78FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Rolls Out Industry’s First 8GB LPDDR4 DRAM Package
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Now Producing Four Gigabit LPDDR3 Mobile DRAM, Using 20nm-class Process Technology
    Samsung Memory Solutions for Automotive
    An Exclusive Look Inside Samsung’s Memory Exhibit at MWC
    Samsung wins 46 CES 2020 Innovation Awards for Outstanding Design and Engineering
    Autonomous Driving and the Quest for Safety
    Samsung Announces Production of Industry’s First 2GB LPDDR3 Mobile Memory, Using 30nm-class Technology
    Mass Production of Fifth-Generation V-NAND has Started
    Samsung Electronics Takes 3D Memory to New Heights with Sixth-generation V-NAND SSDs for Client Computing
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-JGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 432FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH6H60BM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      48 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • K3UH7H70AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      64 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები