Samsung Semiconductor - K4A4G085WF-BITD

KEY Part #: K7359582

[15426ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    K4A4G085WF-BITD
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: DDR4, GDDR5, SLC Nand, LPDDR3, HBM Aquabolt, DDR3, HBM Flarebolt and GDDR6 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    ჩვენ სპეციალიზირებულნი ვართ Samsung Semiconductor K4A4G085WF-BITD ელექტრონული კომპონენტებით. K4A4G085WF-BITD- ის გაგზავნა შეგიძლიათ შეკვეთიდან 24 საათში. თუ K4A4G085WF-BITD– ს მიმართ რაიმე მოთხოვნები გაქვთ, გთხოვთ, გამოგვიგზავნოთ მოთხოვნა ციტატისთვის ან გამოგვიგზავნოთ ელექტრონული ფოსტა: info@key-component.com

    K4A4G085WF-BITD პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4A4G085WF-BITD
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample
    სერიები : DDR4
    სიმჭიდროვე : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    სიჩქარე : 2666 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.2 V
    Ტემპი. : -40 ~ 95 °C
    პაკეტი : 78FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Sample

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.