[20168ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- K4A4G085WE-BITD
- მწარმოებელი:
- Samsung Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: HBM Aquabolt, GDDR5, LPDDR5, GDDR6, MODULE, DDR4, LPDDR4X and HBM Flarebolt ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G085WE-BITD electronic components. K4A4G085WE-BITD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G085WE-BITD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A4G085WE-BITD პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
K4A4G085WE-BITD
მწარმოებელი :
Samsung Semiconductor
აღწერა :
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
სერიები :
DDR4
სიმჭიდროვე :
4 Gb
Org. :
512M x 8
სიჩქარე :
2666 Mbps
Ვოლტაჟი :
1.2 V
Ტემპი. :
-40 ~ 95 °C
პაკეტი :
78FBGA
პროდუქტის სტატუსი :
Mass Production
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
-
-
-
K4A4G085WE-BITD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.
-
K4A4G085WF-BCTD
Samsung Semiconductor
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
-
-
K4A4G165WE-BCWE
Samsung Semiconductor
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
选择你的位置