თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4A4G085WF-BCTD

Samsung Semiconductor - K4A4G085WF-BCTD

KEY Part #: K7359581

[20623ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4A4G085WF-BCTD
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: HBM Flarebolt, HBM Aquabolt, DDR4, GDDR6, DDR3, LPDDR4, LPDDR4X and GDDR5 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4A4G085WF-BCTD electronic components. K4A4G085WF-BCTD can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A4G085WF-BCTD, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4A4G085WF-BCTD პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4A4G085WF-BCTD
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
    სერიები : DDR4
    სიმჭიდროვე : 4 Gb
    Org. : 512M x 8
    სიჩქარე : 2666 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.2 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 78FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    Უახლესი ცნობები

    The Ultra-Low Latency SSD, Z-SSD
    Evolving Mobile Solutions: Samsung at MWC 2018
    Samsung Z-SSD SZ985
    SSDs, DRAM and gaming: Unlocking a new level of performance
    5G and Memory - from Connected Thinking to Connected Living
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    [Video] The Future of Autonomous Driving: Samsung’s Memory Component Solutions
    Samsung Electronics Introduces New High Bandwidth Memory Technology Tailored to Data Centers, Graphic Applications, and AI
    Inside the building blocks of the 5G future
    Samsung Showcases Its Latest Silicon Technologies for the Next Wave of Innovation at Annual Tech Day
    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    The future of NAND technology
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

    • K4A4G165WE-BCWE

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები