თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

თუ თქვენი ადგილმდებარეობა არ არის ჩამოთვლილი, აირჩიეთ შემდეგი ქვემოთ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. მთავარი
  2. პროდუქტები
  3. DRAM
  4. DDR4
  5. K4ABG085WA-MCWE

Samsung Semiconductor - K4ABG085WA-MCWE

KEY Part #: K7359629

[16719ცალი საფონდო]

    Ნაწილი ნომერი:
    K4ABG085WA-MCWE
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: SLC Nand, LPDDR3, LPDDR5, HBM Aquabolt, DDR4, GDDR5, DDR3 and GDDR6 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Samsung Semiconductor K4ABG085WA-MCWE electronic components. K4ABG085WA-MCWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4ABG085WA-MCWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    K4ABG085WA-MCWE პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4ABG085WA-MCWE
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 32 Gb 4G x 8 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Sample
    სერიები : DDR4
    სიმჭიდროვე : 32 Gb
    Org. : 4G x 8
    სიჩქარე : 3200 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.2 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 78FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Sample

    Უახლესი ცნობები

    Mission Peak Reference Server System for NGSFF SSD
    Samsung Electronics Begins Mass Production of Industry's First 12GB LPDDR4X-based uMCP
    High Bandwidth Memory is Catching on for Data-intensive Computing
    Speed for the next generation of mobile devices
    How Will 5G Impact on Memory?
    Samsung Now Mass Producing Industry’s First, 20-Nanometer 6Gb LPDDR3 Mobile DRAM
    NF1 SSD, Reach New Heights with Hyper-Scalable Datacenters
    Bringing Artificial Intelligence to Devices Everywhere
    Samsung Z-SSD SZ985
    Samsung’s PM1733 SSD and High Density DIMMs Support AMD EPYC™ 7002 Series Processor
    Samsung Now Mass Producing Industry’s Most Advanced 4Gb DDR3, Using 20 Nanometer Process Technology
    Samsung Honored for Outstanding Design and Engineering with 36 CES 2018 Innovation Awards
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • K3UH5H50AM-AGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 556FBGA Mass Production.

    • K3UH5H50AM-EGCL

      Samsung Semiconductor

      32 Gb x64 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -25 ~ 85 °C 376FBGA Mass Production.

    • KHA843801B-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA883901B-MC12

      Samsung Semiconductor

      8 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • KHA844801X-MC13

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.4 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    ცხელი ნაწილები