[17075ცალი საფონდო]
- Ნაწილი ნომერი:
- K4A8G165WC-BIWE
- მწარმოებელი:
- Samsung Semiconductor
- Დეტალური აღწერა:
- 8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production.
- Manufacturer's standard lead time:
- Საწყობში
- შენახვის ვადა:
- Ერთი წელი
- ჩიპი From:
- ჰონგ კონგი
- RoHS:
- Გადახდის საშუალება:
-
- გადაზიდვის გზა:
- ოჯახის კატეგორიები:
- KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR5, LPDDR3, GDDR5, SLC Nand, HBM Flarebolt, DDR3, LPDDR4 and DDR4 ...
- Კონკურენტული უპირატესობა:
- We specialize in Samsung Semiconductor K4A8G165WC-BIWE electronic components. K4A8G165WC-BIWE can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for K4A8G165WC-BIWE, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
K4A8G165WC-BIWE პროდუქტის ატრიბუტები
Ნაწილი ნომერი :
K4A8G165WC-BIWE
მწარმოებელი :
Samsung Semiconductor
აღწერა :
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
სერიები :
DDR4
სიმჭიდროვე :
8 Gb
Org. :
512M x 16
სიჩქარე :
3200 Mbps
Ვოლტაჟი :
1.2 V
Ტემპი. :
-40 ~ 95 °C
პაკეტი :
96FBGA
პროდუქტის სტატუსი :
Mass Production
Უახლესი ცნობები
თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
选择你的位置