Samsung Semiconductor - K4A8G165WB-BCRC

KEY Part #: K7359607

[25018ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    K4A8G165WB-BCRC
    მწარმოებელი:
    Samsung Semiconductor
    Დეტალური აღწერა:
    8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: LPDDR4, DDR4, GDDR6, LPDDR3, SLC Nand, LPDDR5, HBM Flarebolt and GDDR5 ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    ჩვენ სპეციალიზირებულნი ვართ Samsung Semiconductor K4A8G165WB-BCRC ელექტრონული კომპონენტებით. K4A8G165WB-BCRC- ის გაგზავნა შეგიძლიათ შეკვეთიდან 24 საათში. თუ K4A8G165WB-BCRC– ს მიმართ რაიმე მოთხოვნები გაქვთ, გთხოვთ, გამოგვიგზავნოთ მოთხოვნა ციტატისთვის ან გამოგვიგზავნოთ ელექტრონული ფოსტა: info@key-component.com

    K4A8G165WB-BCRC პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : K4A8G165WB-BCRC
    მწარმოებელი : Samsung Semiconductor
    აღწერა : 8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
    სერიები : DDR4
    სიმჭიდროვე : 8 Gb
    Org. : 512M x 16
    სიჩქარე : 2400 Mbps
    Ვოლტაჟი : 1.2 V
    Ტემპი. : 0 ~ 85 °C
    პაკეტი : 96FBGA
    პროდუქტის სტატუსი : Mass Production

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • KHA844801X-MC12

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 1024 2.0 Gbps 32 ms MPGA Mass Production.

    • K4A4G085WE-BIRC

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

    • K4ABG165WA-MCWE

      Samsung Semiconductor

      32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

    • K4A4G085WE-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BCTD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

    • K4A4G085WF-BITD

      Samsung Semiconductor

      4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.