Ნაწილი ნომერი :
SI2305CDS-T1-GE3
მწარმოებელი :
Vishay Siliconix
აღწერა :
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
8V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
5.8A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
30nC @ 8V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
960pF @ 4V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
SOT-23-3 (TO-236)
პაკეტი / საქმე :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3