Infineon Technologies - IRF5805TRPBF

KEY Part #: K6421464

IRF5805TRPBF ფასები (აშშ დოლარი) [584764ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06325
  • 3,000 pcs$0.06069

Ნაწილი ნომერი:
IRF5805TRPBF
მწარმოებელი:
Infineon Technologies
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტირისტორები - სკკ, დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Infineon Technologies IRF5805TRPBF electronic components. IRF5805TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5805TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF5805TRPBF პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IRF5805TRPBF
მწარმოებელი : Infineon Technologies
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
სერიები : HEXFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 3.8A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 98 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 511pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 2W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : Micro6™(TSOP-6)
პაკეტი / საქმე : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ