Vishay Siliconix - SI1443EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421438

SI1443EDH-T1-GE3 ფასები (აშშ დოლარი) [554957ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.06665
  • 3,000 pcs$0.06317

Ნაწილი ნომერი:
SI1443EDH-T1-GE3
მწარმოებელი:
Vishay Siliconix
Დეტალური აღწერა:
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - გასწორება - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტირისტორები - TRIACs, დიოდები - გასწორება - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტირისტორები - სკკ and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Vishay Siliconix SI1443EDH-T1-GE3 electronic components. SI1443EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1443EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1443EDH-T1-GE3 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : SI1443EDH-T1-GE3
მწარმოებელი : Vishay Siliconix
აღწერა : MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
სერიები : TrenchFET®
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : P-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±12V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : -
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-363
პაკეტი / საქმე : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ