IXYS - IXFH23N80Q

KEY Part #: K6409234

IXFH23N80Q ფასები (აშშ დოლარი) [6887ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$6.61565
  • 30 pcs$6.58274

Ნაწილი ნომერი:
IXFH23N80Q
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 23A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, დიოდები - RF, დიოდები - ხიდის გასწორება, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFH23N80Q electronic components. IXFH23N80Q can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH23N80Q, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH23N80Q პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFH23N80Q
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 23A TO-247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 23A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 420 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 3mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 130nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 4900pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 500W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AD (IXFH)
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • VP2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • 2N7000G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

  • BS170P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • BS170RLRPG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • BS170RLRP

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • BS107ARL1G

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.