IXYS - IXFX180N085

KEY Part #: K6408512

IXFX180N085 ფასები (აშშ დოლარი) [6381ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$7.46278
  • 30 pcs$7.42565

Ნაწილი ნომერი:
IXFX180N085
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - JFET, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXFX180N085 electronic components. IXFX180N085 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX180N085, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX180N085 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXFX180N085
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247
სერიები : HiPerFET™
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 85V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 8mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 320nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 9100pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 560W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : PLUS247™-3
პაკეტი / საქმე : TO-247-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ