Ნაწილი ნომერი :
NTD4857N-1G
მწარმოებელი :
ON Semiconductor
აღწერა :
MOSFET N-CH 25V 12A IPAK
ნაწილის სტატუსი :
Obsolete
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
25V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
12A (Ta), 78A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
24nC @ 4.5V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
1960pF @ 12V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
1.31W (Ta), 56.6W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა :
-55°C ~ 175°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
I-PAK
პაკეტი / საქმე :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA