IXYS - IXTP2N80P

KEY Part #: K6419171

IXTP2N80P ფასები (აშშ დოლარი) [95429ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.45297
  • 50 pcs$0.45071

Ნაწილი ნომერი:
IXTP2N80P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 800V 2A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი and ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTP2N80P electronic components. IXTP2N80P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTP2N80P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP2N80P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTP2N80P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 800V 2A TO-220
სერიები : PolarHV™
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 50µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 10.6nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 440pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 70W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220AB
პაკეტი / საქმე : TO-220-3

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ