IXYS - IXTY2R4N50P

KEY Part #: K6419169

IXTY2R4N50P ფასები (აშშ დოლარი) [95429ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.47355
  • 70 pcs$0.47120

Ნაწილი ნომერი:
IXTY2R4N50P
მწარმოებელი:
IXYS
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, Thististors - SCRs - მოდულები, დიოდები - გასწორება - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, დიოდები - ზენერი - მასივები and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in IXYS IXTY2R4N50P electronic components. IXTY2R4N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY2R4N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY2R4N50P პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : IXTY2R4N50P
მწარმოებელი : IXYS
აღწერა : MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
სერიები : PolarHV™
ნაწილის სტატუსი : Last Time Buy
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 500V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 2.4A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.75 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 25µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 6.1nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 240pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 55W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ