Infineon Technologies - IRFP064VPBF

KEY Part #: K6411916

[13626ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRFP064VPBF
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - სპეციალური დანიშნულების, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები and ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRFP064VPBF electronic components. IRFP064VPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFP064VPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRFP064VPBF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRFP064VPBF
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 60V 130A TO-247AC
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 60V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 130A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.5 mOhm @ 78A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 260nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 6760pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 250W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-247AC
    პაკეტი / საქმე : TO-247-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • DMN3026LVT-7

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

    • ZVN2106A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

    • IRFR7546TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

    • IRFR4615TRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

    • IRLR8113TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

    • IRFR12N25DPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.