Ნაწილი ნომერი :
TK16A55D(STA4,Q,M)
მწარმოებელი :
Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა :
MOSFET N-CH 550V 16A TO-220SIS
ტექნოლოგია :
MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) :
550V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C :
16A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
330 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs :
45nC @ 10V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds :
2600pF @ 25V
დენის დაშლა (მაქსიმალური) :
-
ოპერაციული ტემპერატურა :
150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი :
Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი :
TO-220SIS
პაკეტი / საქმე :
TO-220-3 Full Pack