Global Power Technologies Group - GP1M008A080H

KEY Part #: K6402618

[2642ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    GP1M008A080H
    მწარმოებელი:
    Global Power Technologies Group
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 800V 8A TO220.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ზენერი - მასივები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები and დიოდები - ცვლადი სიმძლავრე (ვარიკოპები, ვარაქტორებ ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Global Power Technologies Group GP1M008A080H electronic components. GP1M008A080H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GP1M008A080H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M008A080H პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : GP1M008A080H
    მწარმოებელი : Global Power Technologies Group
    აღწერა : MOSFET N-CH 800V 8A TO220
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 800V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.4 Ohm @ 4A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 46nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±30V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1921pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 250W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220
    პაკეტი / საქმე : TO-220-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • CPH6354-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 60V 4A CPH6.

    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • GP2M005A060CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

    • GP2M005A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

    • GP1M016A025CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.