Toshiba Semiconductor and Storage - TPC8067-H,LQ(S

KEY Part #: K6421103

TPC8067-H,LQ(S ფასები (აშშ დოლარი) [348634ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.11729
  • 2,500 pcs$0.11670

Ნაწილი ნომერი:
TPC8067-H,LQ(S
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები, ტრანზისტორები - IGBTs - მასივები, დიოდები - RF, დიოდები - გასწორება - მასივები, Thististors - DIACs, SIDACs, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF and ტირისტორები - სკკ ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TPC8067-H,LQ(S electronic components. TPC8067-H,LQ(S can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TPC8067-H,LQ(S, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TPC8067-H,LQ(S პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TPC8067-H,LQ(S
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
სერიები : U-MOSVII-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 30V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 100µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 690pF @ 10V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 1W (Ta)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 8-SOP
პაკეტი / საქმე : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ