Infineon Technologies - BSS119 E7796

KEY Part #: K6409950

[105ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    BSS119 E7796
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, Thististors - SCRs - მოდულები, ტრანზისტორი - IGBT - ერთი, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, დენის მართვის მოდული, Thististors - DIACs, SIDACs and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies BSS119 E7796 electronic components. BSS119 E7796 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSS119 E7796, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS119 E7796 პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : BSS119 E7796
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
    სერიები : SIPMOS®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 100V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 170mA (Ta)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6 Ohm @ 170mA, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 50µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 2.5nC @ 10V
    Vgs (მაქს) : ±20V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 78pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 360mW (Ta)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : SOT-23-3
    პაკეტი / საქმე : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDD6670AS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 30V 76A DPAK.

    • FDD8586

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FDD8580

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 20V 35A DPAK.

    • FCD4N60TF

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK.

    • 2SK2231(TE16R1,NQ)

      Toshiba Semiconductor and Storage

      MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD.

    • BSS84P E6433

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 60V 170MA SOT-23.