Winbond Electronics მწარმოებელი, მარაგში ხელმისაწვდომია Winbond Electronics პროდუქტები

საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი	აღწერა / PDF	რაოდენობა / RFQ
W978H2KBVX2I Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C	27952ცალი საფონდო
W632GG8MB-09 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 1066MHz	27952ცალი საფონდო
W632GU8MB15I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.	28091ცალი საფონდო
W632GG8MB15I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.	28091ცალი საფონდო
W632GU8MB12I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.	28091ცალი საფონდო
W632GG8MB12I TR Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.	28091ცალი საფონდო
W971GG6SB25I Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA. DRAM 1G, DDR2-800, x16, Ind temp	28103ცალი საფონდო
W29N02GVSIAF Winbond Electronics	IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP.	28202ცალი საფონდო
W9425G6JB-5I TR Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz, Ind temp T&R	28202ცალი საფონდო
W94AD6KBHX5I TR Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA. DRAM 1G mDDR, x16, 200MHz, Ind temp T&R	28313ცალი საფონდო
W94AD2KBJX5I TR Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R	28313ცალი საფონდო
W632GG8MB-15 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz	28614ცალი საფონდო
W632GG8MB-11 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz	28614ცალი საფონდო
W632GG6MB-11 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x16, 933MHz	28614ცალი საფონდო
W632GU8MB-15 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz	28614ცალი საფონდო
W632GU6MB-11 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz	28614ცალი საფონდო
W632GU8MB-12 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,	28614ცალი საფონდო
W632GG6MB-15 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x16, 667MHz	28614ცალი საფონდო
W632GU8MB-11 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 933MHz	28614ცალი საფონდო
W632GU6MB-15 Winbond Electronics	IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 667MHz	28614ცალი საფონდო

მეხსიერება

კლასიფიკაციის გვერდები