მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W632GG6MB-12 TR

W632GG6MB-12 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

32674ცალი საფონდო

W632GU6MB-12 TR

W632GU6MB-12 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 800MHzT&R

32674ცალი საფონდო

W631GG6MB-12

W631GG6MB-12

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 800MHz

33114ცალი საფონდო

W631GG6MB-11

W631GG6MB-11

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 933MHz

33114ცალი საფონდო

W631GU6MB-12

W631GU6MB-12

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 800MHz

33114ცალი საფონდო

W631GG8MB-12

W631GG8MB-12

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x8, 800MHz,

33114ცალი საფონდო

W9825G6JB-6

W9825G6JB-6

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x16, 166MHz,

33482ცალი საფონდო

W989D2DBJX6I

W989D2DBJX6I

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 512M mSDR, x32, 166MHz, Ind Temp, 46nm

33919ცალი საფონდო

W9425G6JB-5 TR

W9425G6JB-5 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz T&R

33940ცალი საფონდო

W949D6DBHX5E

W949D6DBHX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 512M mDDR, x16, 200MHz

34433ცალი საფონდო

W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 512M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp, 46nm

34433ცალი საფონდო

W25Q256JVEIQ

W25Q256JVEIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector

34488ცალი საფონდო

W25Q256JVEIM

W25Q256JVEIM

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash spiFlash, 3V, 256M-bit, 4Kb Uniform Sector, DTR

34488ცალი საფონდო

W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz, Industrial Temp

34892ცალი საფონდო

W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 200MHz

34892ცალი საფონდო

W9864G2JB-6 TR

W9864G2JB-6 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, T&R

35377ცალი საფონდო

W631GU6MB11I

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, Industrial Temp. 933MHz

35517ცალი საფონდო

W631GG8MB12I

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x8, 800MHz, Industrial Temp

35517ცალი საფონდო

W631GG6MB12I

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 800MHz

35517ცალი საფონდო

W631GG6MB15I

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 667MHz

35517ცალი საფონდო