მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz

40134ცალი საფონდო

W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 256M mSDR, x16, 166MHz, Ind Temp

40134ცალი საფონდო

W631GU6MB12I TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, Industrial Temp. 800MHz T&R

40230ცალი საფონდო

W631GG6MB12I TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 800MHz T&R

40230ცალი საფონდო

W631GU6MB15I TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, Industrial Temp. 667MHz T&R

40230ცალი საფონდო

W631GG6MB11I TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96WBGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 933MHz T&R

40230ცალი საფონდო

W631GG6MB15I TR

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, Industrial Temp. 667MHz T&R

40230ცალი საფონდო

W9812G6JB-6 TR

W9812G6JB-6 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz,

41020ცალი საფონდო

W631GU6MB-15

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 667MHz

41137ცალი საფონდო

W631GU8MB-15

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz

41138ცალი საფონდო

W631GG8MB-15

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

41138ცალი საფონდო

W631GU8MB-12

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,

42026ცალი საფონდო

W631GG8MB-11

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

42026ცალი საფონდო

W631GU6MB-11

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 933MHz

42026ცალი საფონდო

W29N01HVSINF

W29N01HVSINF

Winbond Electronics

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP. NAND Flash 1G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8

42095ცალი საფონდო

W29N01HVSINA

W29N01HVSINA

Winbond Electronics

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP. NAND Flash 1G-bit NAND flash, 3V, 1-bit ECC, 3V, x8

42095ცალი საფონდო

W29N01HVBINF

W29N01HVBINF

Winbond Electronics

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 1G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8

42331ცალი საფონდო

W29N01HVBINA

W29N01HVBINA

Winbond Electronics

IC FLASH 1G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 1G-bit NAND flash, 3V, 1-bit ECC, 3V, x8

42331ცალი საფონდო

W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 256M mDDR, x32, 200MHz T&R

42588ცალი საფონდო

W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 256M mSDR, x32, 166MHz T&R

42588ცალი საფონდო