მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W956D6HBCX7I TR

W956D6HBCX7I TR

Winbond Electronics

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 64M pSRAM x16, ADM, 133MHz, Ind temp T&R

30775ცალი საფონდო

W966D6HBGX7I TR

W966D6HBGX7I TR

Winbond Electronics

IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 64M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp T&R

30775ცალი საფონდო

W25M512JVEIQ TR

W25M512JVEIQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

30821ცალი საფონდო

W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 256M mDDR, x32, 200MHz, Industrial Temp

31038ცალი საფონდო

W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 256M mDDR, x32, 200MHz

31038ცალი საფონდო

W9425G6JB-5

W9425G6JB-5

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 60TFBGA. DRAM 256M DDR SDRAM x16, 200Mhz

31122ცალი საფონდო

W632GG8MB-11 TR

W632GG8MB-11 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

31391ცალი საფონდო

W632GU8MB-15 TR

W632GU8MB-15 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

31391ცალი საფონდო

W9812G6JB-6I TR

W9812G6JB-6I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp

31391ცალი საფონდო

W632GU8MB-12 TR

W632GU8MB-12 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

31391ცალი საფონდო

W632GG8MB-15 TR

W632GG8MB-15 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

31391ცალი საფონდო

W632GG8MB-12 TR

W632GG8MB-12 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA.

31391ცალი საფონდო

W971GG6SB-18

W971GG6SB-18

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA. DRAM 1G, DDR2-1066, x16

31604ცალი საფონდო

W9864G2JB-6

W9864G2JB-6

Winbond Electronics

IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz,

32461ცალი საფონდო

W971GG8SB-25

W971GG8SB-25

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA. DRAM 1G, DDR2-800, x8

32493ცალი საფონდო

W971GG6SB-25

W971GG6SB-25

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA. DRAM 1G, DDR2-800, x16

32493ცალი საფონდო

W631GG6MB-15

W631GG6MB-15

Winbond Electronics

IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA. DRAM 1G DDR3 SDRAM, x16, 667MHz

32493ცალი საფონდო

W632GG6MB-15 TR

W632GG6MB-15 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

32674ცალი საფონდო

W632GU6MB-15 TR

W632GU6MB-15 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

32674ცალი საფონდო

W632GG6MB-11 TR

W632GG6MB-11 TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ.

32674ცალი საფონდო