მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W979H6KBVX2I TR

W979H6KBVX2I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C T&R

28639ცალი საფონდო

W9812G6JB-6I

W9812G6JB-6I

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x16, 166MHz, Ind temp

28722ცალი საფონდო

W25M02GVTBIG TR

W25M02GVTBIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

28766ცალი საფონდო

W25M02GVTBIT TR

W25M02GVTBIT TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

28766ცალი საფონდო

W25M02GVTCIT TR

W25M02GVTCIT TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

28766ცალი საფონდო

W25M02GVTCIG TR

W25M02GVTCIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

28766ცალი საფონდო

W25Q256JVBIQ

W25Q256JVBIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 256M SPI 24TFBGA.

28803ცალი საფონდო

W29N02GVBIAF

W29N02GVBIAF

Winbond Electronics

IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 2G-bit Serial NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8

28888ცალი საფონდო

W978H2KBVX2E

W978H2KBVX2E

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C

29027ცალი საფონდო

W632GG6MB15I TR

W632GG6MB15I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

29061ცალი საფონდო

W632GU6MB15I TR

W632GU6MB15I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ.

29061ცალი საფონდო

W632GU6MB12I TR

W632GU6MB12I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

29061ცალი საფონდო

W632GG6MB12I TR

W632GG6MB12I TR

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ.

29061ცალი საფონდო

W94AD6KBHX5E TR

W94AD6KBHX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA. DRAM 1G mDDR, x16, 200MHz T&R

29234ცალი საფონდო

W94AD2KBJX5E TR

W94AD2KBJX5E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

29234ცალი საფონდო

W979H6KBVX2E TR

W979H6KBVX2E TR

Winbond Electronics

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 512Mb LPDDR2, x16, 400MHz T&R

29615ცალი საფონდო

W25M02GVZEIG TR

W25M02GVZEIG TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON.

29964ცალი საფონდო

W25M02GVZEIT TR

W25M02GVZEIT TR

Winbond Electronics

IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON. Multichip Packages 2G-bit Serial NAND flash, 3V

29964ცალი საფონდო

W957D6HBCX7I TR

W957D6HBCX7I TR

Winbond Electronics

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M pSRAM x16, ADM, 133MHz, Ind temp T&R

30535ცალი საფონდო

W967D6HBGX7I TR

W967D6HBGX7I TR

Winbond Electronics

IC PSRAM 128M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 128M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp T&R

30535ცალი საფონდო