მეხსიერება

გამოსახულება საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი აღწერა / PDF რაოდენობა / RFQ
W29GL512PH9T

W29GL512PH9T

Winbond Electronics

IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP.

21555ცალი საფონდო

W631GG6KB-12

W631GG6KB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA.

22123ცალი საფონდო

W631GG6KB-15

W631GG6KB-15

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA.

22123ცალი საფონდო

W978H6KBVX2I

W978H6KBVX2I

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C

22123ცალი საფონდო

W29GL512PH9B

W29GL512PH9B

Winbond Electronics

IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA.

22147ცალი საფონდო

W29GL512PL9B

W29GL512PL9B

Winbond Electronics

IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA.

22147ცალი საფონდო

W29GL512SL9B

W29GL512SL9B

Winbond Electronics

IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA.

22147ცალი საფონდო

W29GL512SH9B

W29GL512SH9B

Winbond Electronics

IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA.

22147ცალი საფონდო

W9812G2KB-6

W9812G2KB-6

Winbond Electronics

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

22386ცალი საფონდო

W25M512JVEIQ

W25M512JVEIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 104MHZ 8WSON.

22602ცალი საფონდო

W632GG6MB-12

W632GG6MB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x16, 800MHz

22653ცალი საფონდო

W632GU6MB-12

W632GU6MB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 96VFBGA. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, 800MHz

22653ცალი საფონდო

W632GG8MB-12

W632GG8MB-12

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 800MHz,

22653ცალი საფონდო

W97AH2KBVX2E

W97AH2KBVX2E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C

22796ცალი საფონდო

W97AH6KBVX2E

W97AH6KBVX2E

Winbond Electronics

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C

22796ცალი საფონდო

W29N02GVBIAA

W29N02GVBIAA

Winbond Electronics

IC FLASH 2G PARALLEL 63FBGA. NAND Flash 2G-bit NAND flash, 3V x 8bit

22852ცალი საფონდო

W978H6KBVX2E

W978H6KBVX2E

Winbond Electronics

IC DRAM 256M PARALLEL 134VFBGA. DRAM 256Mb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C

23004ცალი საფონდო

W25M512JVBIQ

W25M512JVBIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 24TFBGA.

24500ცალი საფონდო

W25M512JVCIQ

W25M512JVCIQ

Winbond Electronics

IC FLASH 512M SPI 24TFBGA. Multichip Packages spiFlash, 512M-bit, 4Kb Uniform Sector

24500ცალი საფონდო

W632GU6MB15I

W632GU6MB15I

Winbond Electronics

IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x16, Industrial Temp. 667MHz

24502ცალი საფონდო