Winbond Electronics მწარმოებელი, მარაგში ხელმისაწვდომია Winbond Electronics პროდუქტები

საკვანძო ნაწილი # / მწარმოებელი	აღწერა / PDF	რაოდენობა / RFQ
W25X32VSFIG T&R Winbond Electronics	IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC.	2884ცალი საფონდო
W25X16VZPIG T&R Winbond Electronics	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON.	2851ცალი საფონდო
W25X32VSFIG Winbond Electronics	IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC.	2818ცალი საფონდო
W25X16VSSIG T&R Winbond Electronics	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC.	2786ცალი საფონდო
W25X16VZPIG Winbond Electronics	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8WSON.	2769ცალი საფონდო
W25X16VSSIG Winbond Electronics	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8SOIC.	2737ცალი საფონდო
W25X16VSFIG Winbond Electronics	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC.	2639ცალი საფონდო
W25X16VSFIG T&R Winbond Electronics	IC FLASH 16M SPI 75MHZ 16SOIC.	2624ცალი საფონდო
W9825G2JB-6I Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp	13852ცალი საფონდო
W29N04GVSIAA Winbond Electronics	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V x 8bit	14572ცალი საფონდო
W29N04GVSIAF Winbond Electronics	IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8	14572ცალი საფონდო
W29N04GZBIBA Winbond Electronics	IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8	15273ცალი საფონდო
W29N04GWBIBA Winbond Electronics	IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16	15273ცალი საფონდო
W29N04GVBIAF Winbond Electronics	IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V, 4-bit ECC, 3V, x8	15801ცალი საფონდო
W29N04GVBIAA Winbond Electronics	IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 3V x 8bit	15801ცალი საფონდო
W9825G2JB-6I TR Winbond Electronics	IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R	16033ცალი საფონდო
W97AH2KBQX2E Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -25 85C	17250ცალი საფონდო
W97AH6KBQX2I Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -40 85C	17250ცალი საფონდო
W97AH6KBQX2E Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x16, 400MHz, -25 85C	17250ცალი საფონდო
W97AH2KBQX2I Winbond Electronics	IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C	17250ცალი საფონდო

მეხსიერება

კლასიფიკაციის გვერდები