Winbond Electronics - W29N04GZBIBA

KEY Part #: K936863

W29N04GZBIBA ფასები (აშშ დოლარი) [15273ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$3.69839
  • 210 pcs$3.67999

Ნაწილი ნომერი:
W29N04GZBIBA
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - თერმული მენეჯმენტი, საათი / დრო - ხაზების დაგვიანება, PMIC - მიმდინარე რეგულირება / მენეჯმენტი, ინტერფეისი - ფილტრები - აქტიური, ხაზოვანი - ვიდეო დამუშავება, ლოგიკა - FIFO მეხსიერება, მეხსიერება - კონტროლერები and მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W29N04GZBIBA electronic components. W29N04GZBIBA can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W29N04GZBIBA, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W29N04GZBIBA პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W29N04GZBIBA
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Non-Volatile
მეხსიერების ფორმატი : FLASH
ტექნოლოგია : FLASH - NAND (SLC)
მეხსიერების ზომა : 4Gb (512M x 8)
საათის სიხშირე : -
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : 35ns
წვდომის დრო : 35ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.7V ~ 1.95V
ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 63-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 63-VFBGA (9x11)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • 71V30S55TFG8

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V DUAL-PORT RAM

  • AT28C256E-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K HI-ENDURANCE SDP- 150NS IND TEMP

  • IS61LP6432A-133TQLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP. SRAM 2Mb 64Kx32 133Mhz Sync SRAM 3.3v

  • 71V25761S183PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W29N04GZBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x8

  • W29N04GWBIBA

    Winbond Electronics

    IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash 4G-bit NAND flash, 1.8V, 4-bit ECC, 1.8V, x16