ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS61LPS25636A-200B2I-TR

KEY Part #: K920631

ოჯახის კატეგორიები:: KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ინტერფეისი - სპეციალიზირებული, ლოგიკა - ლატჩები, ლოგიკა - უნივერსალური ავტობუსის ფუნქციები, ინტერფეისი - სიგნალის ბუფერები, გამეორება, გაყოფა, მონაცემთა შეძენა - ციფრული პოტენომეტრები, PMIC - კარიბჭის მძღოლები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - სპეციალური დანიშნულებ and ლოგიკა - FIFO მეხსიერება ...

Კონკურენტული უპირატესობა:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200B2I-TR electronic components. IS61LPS25636A-200B2I-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS61LPS25636A-200B2I-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Ნაწილი ნომერი : IS61LPS25636A-200B2I-TR

მწარმოებელი : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

აღწერა : IC SRAM 9M PARALLEL 119PBGA

სერიები : -

ნაწილის სტატუსი : Active

მეხსიერების ტიპი : Volatile

მეხსიერების ფორმატი : SRAM

ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous

მეხსიერების ზომა : 9Mb (256K x 36)

საათის სიხშირე : 200MHz

დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -

წვდომის დრო : 3.1ns

მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel

ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V

ოპერაციული ტემპერატურა : -40°C ~ 85°C (TA)

სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount

პაკეტი / საქმე : 119-BBGA

მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 119-PBGA (14x22)

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ

W25Q128BVEJG

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 128MB.
W25Q32FVZEJQ TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.
W25Q256FVEJF TR

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 256MB.
GD25VQ80CTIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
7130LA25TFGI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 8K PARALLEL 64TQFP. SRAM 1K x 8 Dual Port High Speed RAM
W25Q32FVSFJQ

Winbond Electronics

IC FLASH MEMORY 32MB.