IDT, Integrated Device Technology Inc - IDT71V3579S80PF

KEY Part #: K929441

[13000ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IDT71V3579S80PF
    მწარმოებელი:
    IDT, Integrated Device Technology Inc
    Დეტალური აღწერა:
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: მეხსიერება - კონტროლერები, PMIC - ელექტრომომარაგების კონტროლერები, მონიტორები, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები, მულტიპლექს, ლოგიკა - შემსრულებლები, ხაზოვანი - გამაძლიერებლები - ვიდეო ამპერები და მოდ, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - DC DC გადართვის კონტრ and ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in IDT, Integrated Device Technology Inc IDT71V3579S80PF electronic components. IDT71V3579S80PF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDT71V3579S80PF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IDT71V3579S80PF პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IDT71V3579S80PF
    მწარმოებელი : IDT, Integrated Device Technology Inc
    აღწერა : IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
    სერიები : -
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    მეხსიერების ტიპი : Volatile
    მეხსიერების ფორმატი : SRAM
    ტექნოლოგია : SRAM - Synchronous
    მეხსიერების ზომა : 4.5Mb (256K x 18)
    საათის სიხშირე : -
    დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
    წვდომის დრო : 8ns
    მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
    ძაბვა - მიწოდება : 3.135V ~ 3.465V
    ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 70°C (TA)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    პაკეტი / საქმე : 100-LQFP
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 100-TQFP (14x14)
    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • TH58NYG3S0HBAI4

      Toshiba Memory America, Inc.

      8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)

    • M93S56-WMN6T

      STMicroelectronics

      IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.

    • M95020-RMB6TG

      STMicroelectronics

      IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.

    • BR93L66FJ-WE2

      Rohm Semiconductor

      IC EEPROM 4K SPI 2MHZ 8SOPJ. EEPROM McrWre BUS 3-Wre 4K SOP-J8 EEPROM

    • IDT71V416VL15PHI

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.

    • IDT71V416VL15PH8

      IDT, Integrated Device Technology Inc

      IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.