Winbond Electronics - W632GU8MB-12

KEY Part #: K940229

W632GU8MB-12 ფასები (აშშ დოლარი) [28614ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$1.60140

Ნაწილი ნომერი:
W632GU8MB-12
მწარმოებელი:
Winbond Electronics
Დეტალური აღწერა:
IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 800MHz,
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი + გადართვა, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის, PMIC - ძაბვის რეგულატორები - ხაზოვანი, მონაცემთა შეძენა - ანალოგური წინა ბოლოს (AFE), აუდიო სპეციალური დანიშნულების, ინტერფეისი - ანალოგური კონცენტრატორები - სპეციალურ, ჩაშენებული - FPGAs (საველე პროგრამირებადი კარიბჭის and PMIC - დრაივერების ჩვენება ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Winbond Electronics W632GU8MB-12 electronic components. W632GU8MB-12 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W632GU8MB-12, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W632GU8MB-12 პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : W632GU8MB-12
მწარმოებელი : Winbond Electronics
აღწერა : IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
მეხსიერების ტიპი : Volatile
მეხსიერების ფორმატი : DRAM
ტექნოლოგია : SDRAM - DDR3
მეხსიერების ზომა : 2Gb (128M x 16)
საათის სიხშირე : 800MHz
დაწერეთ ციკლის დრო - სიტყვა, გვერდი : -
წვდომის დრო : 20ns
მეხსიერების ინტერფეისი : Parallel
ძაბვა - მიწოდება : 1.283V ~ 1.45V
ოპერაციული ტემპერატურა : 0°C ~ 95°C (TC)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
პაკეტი / საქმე : 78-VFBGA
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : 78-VFBGA (8x10.5)

Უახლესი ცნობები

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • CY7C199D-25SXET

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256 KB, 5.50 V 25 ns Async Fast SRAMs

  • W94AD2KBJX5I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz, Ind temp T&R

  • W94AD2KBJX5E TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz T&R

  • W632GG8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 667MHz

  • W632GG8MB-11

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ. DRAM 2G DDR3 SDRAM, x8, 933MHz

  • W632GU8MB-15

    Winbond Electronics

    IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ. DRAM 2G DDR3L 1.35V SDRAM, x8, 667MHz