Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2N100CP ROG

KEY Part #: K6397675

TSM2N100CP ROG ფასები (აშშ დოლარი) [235545ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.15703

Ნაწილი ნომერი:
TSM2N100CP ROG
მწარმოებელი:
Taiwan Semiconductor Corporation
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, ტრანზისტორები - JFET, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, დიოდები - ზენერი - მასივები, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა and ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N100CP ROG electronic components. TSM2N100CP ROG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM2N100CP ROG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2N100CP ROG პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TSM2N100CP ROG
მწარმოებელი : Taiwan Semiconductor Corporation
აღწერა : MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO252
სერიები : -
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 1000V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 1.85A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.5 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 17nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±30V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 625pF @ 25V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 77W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-252, (D-Pak)
პაკეტი / საქმე : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.