Toshiba Semiconductor and Storage - TK35A08N1,S4X

KEY Part #: K6397619

TK35A08N1,S4X ფასები (აშშ დოლარი) [88227ცალი საფონდო]

  • 1 pcs$0.48500
  • 50 pcs$0.38892
  • 100 pcs$0.32190
  • 500 pcs$0.24963
  • 1,000 pcs$0.19708

Ნაწილი ნომერი:
TK35A08N1,S4X
მწარმოებელი:
Toshiba Semiconductor and Storage
Დეტალური აღწერა:
MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.
Manufacturer's standard lead time:
Საწყობში
შენახვის ვადა:
Ერთი წელი
ჩიპი From:
ჰონგ კონგი
RoHS:
Გადახდის საშუალება:
გადაზიდვის გზა:
ოჯახის კატეგორიები:
KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: დიოდები - ხიდის გასწორება, დენის მართვის მოდული, ტრანზისტორები - JFET, დიოდები - RF, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - მასივები, წინას, ტრანზისტორი - ბიპოლარული (BJT) - RF, ტრანზისტორები - პროგრამირებადი უნიტაზი and ტირისტორები - TRIACs ...
Კონკურენტული უპირატესობა:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK35A08N1,S4X electronic components. TK35A08N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK35A08N1,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK35A08N1,S4X პროდუქტის ატრიბუტები

Ნაწილი ნომერი : TK35A08N1,S4X
მწარმოებელი : Toshiba Semiconductor and Storage
აღწერა : MOSFET N-CH 80V 35A TO-220
სერიები : U-MOSVIII-H
ნაწილის სტატუსი : Active
FET ტიპი : N-Channel
ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 80V
მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 300µA
კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (მაქს) : ±20V
შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 1700pF @ 40V
FET თვისება : -
დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 30W (Tc)
ოპერაციული ტემპერატურა : 150°C (TJ)
სამონტაჟო ტიპი : Through Hole
მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-220SIS
პაკეტი / საქმე : TO-220-3 Full Pack

თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.

  • TK35A08N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 80V 35A TO-220.