Infineon Technologies - IRLBD59N04ETRLP

KEY Part #: K6413136

[13204ცალი საფონდო]


    Ნაწილი ნომერი:
    IRLBD59N04ETRLP
    მწარმოებელი:
    Infineon Technologies
    Დეტალური აღწერა:
    MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5.
    Manufacturer's standard lead time:
    Საწყობში
    შენახვის ვადა:
    Ერთი წელი
    ჩიპი From:
    ჰონგ კონგი
    RoHS:
    Გადახდის საშუალება:
    გადაზიდვის გზა:
    ოჯახის კატეგორიები:
    KEY კომპონენტები Co, LTD არის ელექტრონული კომპონენტების დისტრიბუტორი, რომელიც გთავაზობთ პროდუქტის კატეგორიებს, მათ შორის: ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, წინა, დენის მართვის მოდული, ტირისტორები - სკკ, ტრანზისტორები - ბიპოლარული (BJT) - ერთჯერადი, ტრანზისტორები - FETs, MOSFETs - RF, Thististors - DIACs, SIDACs, ტრანზისტორები - IGBTs - მოდულები and ტრანზისტორი - FETs, MOSFETs - მასივები ...
    Კონკურენტული უპირატესობა:
    We specialize in Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP electronic components. IRLBD59N04ETRLP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLBD59N04ETRLP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRLBD59N04ETRLP პროდუქტის ატრიბუტები

    Ნაწილი ნომერი : IRLBD59N04ETRLP
    მწარმოებელი : Infineon Technologies
    აღწერა : MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
    სერიები : HEXFET®
    ნაწილის სტატუსი : Obsolete
    FET ტიპი : N-Channel
    ტექნოლოგია : MOSFET (Metal Oxide)
    გადინება წყარო ძაბვის (Vdss) : 40V
    მიმდინარე - უწყვეტი გადინება (Id) @ 25 ° C : 59A (Tc)
    წამყვანი ძაბვა (მაქსიმალური Rds ჩართულია, მინიმალური Rds ჩართულია) : 5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 35A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
    კარიბჭის დატენვა (Qg) (მაქსიმალური) @ Vgs : 50nC @ 5V
    Vgs (მაქს) : ±10V
    შეყვანის სიმძლავრე (Ciss) (მაქსიმალური) @ Vds : 2190pF @ 25V
    FET თვისება : -
    დენის დაშლა (მაქსიმალური) : 130W (Tc)
    ოპერაციული ტემპერატურა : -55°C ~ 175°C (TJ)
    სამონტაჟო ტიპი : Surface Mount
    მიმწოდებელი მოწყობილობის პაკეტი : TO-263-5
    პაკეტი / საქმე : TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA

    თქვენ შეიძლება ასევე დაგაინტერესოთ
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • SSR1N60BTM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK.

    • IRLR3715Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 49A DPAK.

    • IRFR4105Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.

    • FQD30N06TF_F080

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK.